5奈米稼動率明年破百 需求旺 臺積先進製程火燙

此外，臺積電CoWoS年底將開出3.6萬片月產能，明年底上看9萬片，爆發點集中在明年第四季，緩解目前封裝產能壓力。

供應鏈透露，輝達B系列逐步放量，至今年底將產出20萬顆的B200晶片，明年第三季則推出B300A，AI需求延續；從先進封裝CoWoS產能來看，今年底月產能將達到3.6萬片，明年季季增、伴隨新廠產能開出，年底產能上看9萬片。

臺積電10月營收再締新猷，凸顯第四季未受消費性電子淡季影響、產線維持滿載，AI加持下步入營收快速成長週期，3奈米投資成效開始顯現。法人分析，憑藉技術領先優勢，透過將5奈米轉換爲3奈米，將有更多3奈米產能開出。

臺積電3奈米成功，帶旺聯發科天璣旗艦級晶片競爭力。供應鏈透露，三星自研晶片即受限自家代工廠產能，據估計，明年三星手機晶片缺口將達15％，給予聯發科切入機會，智慧型手機市場大餅通吃，因此iPhone流片下修約10％對稼動率影響不大。而明年手機主流仍採3奈米情況下，臺積電將繼續主宰3奈米先進製程節點。

5奈米家族部分，由輝達B系列晶片放量助攻，法人預估稼動率將達101％；最受矚目的亞利桑那州廠預計會明年年初量產。B系列晶片今年底有望交付20萬顆、明年持續放量爲貢獻主軸；依輝達產品路線圖規劃，明年第三季將有采4奈米B300／B300A接力，分別採CoWoS-L與CoWoS-S先進封裝。

先進封裝同樣暢旺，法人預估，臺積電CoWoS至年底將開出3.6萬片之月產能，明年底上看9萬片，爆發點集中在明年第四季，南科新廠快速上線，緩解目前封裝產能壓力。