功率半導體夯 8吋晶圓春燕飛來了

隨着５Ｇ、物聯網、車用電子、電動車等應用興起，使得八吋晶圓代工與功率元件相關需求依然熱絡，國內相關供應鏈營運可望增溫。(圖/先探週刊提供)

去年上半年一度飆漲的二極體、MOSFET等相關功率元件，但因受美中貿易戰與全球景氣下滑，造成下半年開始調整庫存，市場供需吃緊稍有舒緩。日前全球功率半導體龍頭英飛凌下修今年財測目標，主要着眼於中國汽車市場成長放緩，不過，以中長線趨勢而言，功率半導體產業前景仍值得期待。

簡單來說，功率半導體大致可分爲功率離散元件（Power Discrete）與功率積體電路（Power IC）二大類，其中，功率離散元件產品包括金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）、二極體（Diodes）、絕緣柵雙極電晶體（IGBT）。目前全球功率半導體主要廠商爲英飛凌、On Semi、STMicro、Mitsubishi、Toshiba、Vishay、Rohm等，其中，功率半導體龍頭即是德國的英飛凌，全球市佔率約十八．五％。日前英飛凌股價雖然因調降財測出現重挫，但近期跌深反彈，創下今年以來新高。

根據IC Insights指出，二○一六年全球功率半導體市場達一二四億美元；在各類功率元件中，最具成長性的產品是高壓MOSFET（超過二○○Ｖ）與IGBT模組，這二類產品在二○一五～二○年期間的複合年成長率（ＣＡＧＲ）預估分別爲四．七％與四％；主要驅動力來自於車用電子、電動車與工業四．○等應用面興起。

根據英飛淩統計，傳統汽車功率半導體成本約爲七一美元，平均每輛新車配備十八顆MOSFET元件，若是純電動車（ＢＥＶ）和油電覆合動力車（ＨＥＶ）分別爲四五五、三八七美元，MOSFET用量約爲二五○顆；不論是成本或是元件使用量均呈現倍數增長。

ＩＤＭ大釋單帶旺昇陽半

目前國內與功率半導體相關的廠商，從上游磊晶的嘉晶、漢磊；晶圓代工臺積電、世界、聯電、茂矽；晶圓薄化昇陽半導體；下游MOSFET廠商爲大中、尼克森、富鼎、傑力；二極體則爲強茂、臺半、德微；封測廠捷敏ＫＹ；導線架廠則有順德與界霖；散熱模組健策與艾姆勒等。

主要替英飛凌代工從事晶圓薄化的昇陽半導體，近來受惠於英飛凌、TI、On Semi等國際ＩＤＭ廠擴大委外代工訂單，帶動營運從去年以來逐季攀高。所謂的晶圓薄化是半導體制程的中段，主要包括晶圓的正面貼膜及保護膜剝除，晶圓背面研磨、蝕刻、及金屬鍍膜等。晶圓薄化可幫助降低電流通過之阻值，減少功耗所產生過熱現象。受惠於車用、工業用與通訊等相關應用興起，昇陽半導體在晶圓薄化業務上，今年將擴增月產能達十萬片，並配合客戶需求加強晶圓薄化技術至二五微米以下，領先對手。（全文未完）

※全文請見《先探投資週刊2035期》有更多精彩當期內文