美國ITC終裁確認 英諾賽科與EPC專利糾紛不會導致終端客戶產品被禁售！

全球第三代半導體技術正值高速發展階段，氮化鎵（GaN）技術的進步在其中尤爲引人注目，並引發了全球科技巨頭之間的激烈角逐。在這樣的技術革新背景下，中國在該領域的領軍企業英諾賽科與美國宜普（EPC）之間的專利爭端成爲市場的焦點。

據最新消息，英諾賽科於11月8日晚間發表聲明稱，美國國際貿易委員會（ITC）於2024年11月7日發佈的337調查終裁決定證實，英諾賽科的客戶將其產品進口到美國的合法性不受英諾賽科和宜普公司（EPC）之間正在進行的專利糾紛的影響。

據悉，EPC公司早在2023年5月便向美國國際貿易委員會（ITC）提起了訴訟，指控英諾賽科侵犯了其四項關鍵的氮化鎵功率半導體器件專利（專利編號分別爲294、508、347和335）。截至目前，EPC已向ITC撤銷兩項專利主張（347號和335號），而508號專利亦在今年7月被美國國際貿易委員會（ITC）裁定英諾賽科不存在侵權行爲。

同時，英諾賽科早前已向美國專利商標局（USPTAB）針對EPC發起了一項針對294號專利的多方複審程序，以四個不同的理由質疑294號專利的所有權利要求，且英諾賽科的無效論點獲得美國專利商標局三位法官的一致認同。美國專利商標局認爲：“英諾賽科很有可能在其針對EPC專利的無效請求中獲得勝訴。”

然而，美國專利商標局針對294號專利的多方複審無效審理需至2025年3月才能獲得最終結果。在此期間，對於此次ITC的裁定結果，英諾賽科認爲討論對無效的專利權利要求是否存在侵權是沒有意義的。

此外，英諾賽科還指出，根據美國法律規定，有限排除令並不禁止英諾賽科的客戶將使用被指控芯片的終端產品進口到美國市場。此外，由於終裁決定澄清了“補償GaN層”這一權利要求術語的含義，而這正是雙方圍繞294號專利爭議的核心，因此也爲英諾賽科提供了明確的規避設計指導，通過避免使用“補償GaN層”這一技術特徵，就可以實現對294號專利的規避。據悉，英諾賽科目前已經完成了規避設計方案，並將很快發佈規避設計後的新產品。

綜上可見，EPC訴訟將不會對英諾賽科的客戶帶來不利影響。同時，英諾賽科亦表示將繼續通過法院上訴程序和美國專利商標局的無效程序來推動解決與EPC的糾紛，並有信心取得最終的完全勝利。

近年來，英諾賽科的發展勢頭迅猛，在短短几年內迅速攀升至全球氮化鎵行業的頂峰。據悉,按折算氮化鎵分立器件出貨量計,2023年，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市場份額高達42.4%。

行業人士指出，在氮化鎵這一突破性且具有顛覆性的行業中，新興的創新企業自然會對老牌企業構成挑戰。面對新興力量的崛起，傳統企業往往會通過專利爭議來應對這種威脅。英諾賽科作爲目前全球唯一能夠實現氮化鎵技術大規模量產的公司，應對專利訴訟持有積極樂觀的態度並進行妥善應對。