上海積塔半導體申請原子層沉積控制專利，提升薄膜均勻性

金融界2024年10月26日消息，國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名爲“原子層沉積控制方法以及控制設備、沉積設備”的專利，公開號CN 118814144 A，申請日期爲2024年7月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種原子層沉積控制方法以及控制設備、沉積設備，包括：用於控制工藝腔室執行N次目標工藝步驟對其內的晶圓表面沉積目標厚度的目標膜層；其中，執行第i次目標工藝步驟包括：在向工藝腔室內通入交替前驅氣體期間，控制勵磁源向工藝腔室內施加第一磁場的同時，控制晶圓載盤向晶圓表面施加靜電場，使得種前驅氣體分解出的成膜目標離子朝向晶圓表面加速運動，並吸附在晶圓表面或與早已吸附的目標離子反應並形成第i層原子薄膜，i∈[1，N]。根據前驅氣體分解離子電性狀態和電荷量靈活調節外加磁場和電場方向及強度，達到在擴大工藝溫度窗口的同時縮短薄膜沉積週期及提升薄膜均勻性的目的。

本文源自：金融界

作者：情報員