SK海力士將更環保氣體運用於芯片清潔工藝
《科創板日報》25日訊,SK海力士已將其在芯片生產的一些清潔工藝步驟中使用的氣體替換爲更環保的氣體。該公司進行了用全球變暖潛值 (GWP) 較低的氣體替代三氟化氮 (NF3) 的測試。目前,該廠商已用GWP爲0的F2氣體取代了一些工藝步驟。 (the elec)
相關資訊
- ▣ SK海力士將於第三季度開始量產下一代HBM芯片
- ▣ SK海力士將在韓國芯片工廠投資493億人民幣
- ▣ SK海力士計劃到2028年投資103萬億韓元 用於AI和芯片領域
- ▣ 韓國存儲芯片大廠SK海力士澄清“撤出中國”等傳聞
- ▣ 三星電子:追趕 SK 海力士,AI 芯片之爭
- ▣ SK海力士首發第六代10納米DRAM芯片
- ▣ 三星據悉計劃改用SK海力士的MUF封裝工藝
- SK海力士衝記憶體晶片 報捷
- ▣ SK海力士計劃2028年前投資103萬億韓元押注AI,約80%用於HBM內存芯片
- ▣ SK海力士針對DRAM生產線評估KCTech的超臨界流體清潔劑
- SK海力士GDDR7顯存將於今年Q4量產
- 100億美元!傳英特爾擬將NAND存儲芯片業務賣給SK海力士
- 丟掉AI芯片大單急了!三星被曝將引入SK海力士的技術
- ▣ 美光(MU.US)及SK海力士引爆樂觀情緒 亞洲AI芯片股集體狂歡
- ▣ SK海力士:今年HBM芯片佔公司DRAM芯片銷售比重預計達兩位數
- ▣ 技術突破!SK海力士首發第六代10納米DRAM芯片
- ▣ SK海力士:黃仁勳要求HBM4芯片提前6個月交貨!
- ▣ 美國撥款及貸款 9.5 億,SK 海力士建印州 AI 芯片廠
- ▣ SK海力士 開發新DRAM晶片
- ▣ SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產線已超兩成用於 HBM 內存
- ▣ SK海力士投資10億美元擴大對先進芯片封裝投入
- ▣ 特斯拉據悉要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品
- ▣ SK海力士擬600億接盤英特爾閃存 存儲芯片格局生變
- ▣ SK海力士、臺積電宣佈合作開發HBM4芯片 預期2026年投產
- ▣ 全球首款!SK海力士展出16層HBM3E芯片:明年初供應樣品
- ▣ 記憶晶片跌 SK海力士Q1大虧
- SK海力士砸巨資 衝刺HBM晶片
- 韓國晶片巨頭SK海力士 計劃升級在華工廠
- 義發加工廠新環保鋼刷 清潔力超強