臺積電2nm工藝將繼續漲價:每片晶圓超3萬美元

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據報道,臺積電在2nm製程節點上取得了重大突破,將首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管技術。N2工藝還結合了NanoFlex技術,爲芯片設計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。相較於當前的N3E工藝,N2工藝預計將在相同功率下實現10%至15%的性能提升,或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。

據悉,臺積電每片300mm的2nm晶圓的價格可能超過3萬美元,高於之前預期的2.5萬美元。相比之下,目前3nm晶圓的價格大概在1.85萬至2萬美元,而4/5nm晶圓的價格在1.5到1.6萬美元之間。

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