天津中環申請一種半導體噴砂後清洗系統及工藝專利，簡化槽體減少清洗設備佔地面積

金融界2024年11月26日消息，國家知識產權局信息顯示，天津中環領先材料技術有限公司 申請一項名爲“一種半導體噴砂後清洗系統及工藝”的專利，公開號 CN 119016415 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種半導體噴砂後清洗系統及工藝，涉及半導體清洗技術領域，該系統包括依次設置的預清洗部、砂漿去除部以及清洗部，其中，預清洗部用於清洗硅片表面的砂粒，包括第一槽體，第一槽體內均設置鼓泡管；砂漿去除部用於去除硅片表面的砂漿，包括第二槽體，第二槽體內設置第一清潔劑；清洗部用於對硅片進行表面顆粒及金屬離子去除，包括依次設置的第三槽體、第四槽體和第五槽體，第四槽體內設置拋動托架和超聲結構，且第四槽體內設置第二清潔劑，第三槽體與第五槽體均設置噴淋管和鼓泡管，簡化了槽體，減少了清洗設備的佔地面積。該工藝，採用上述系統，包括預清洗、砂漿去除、表面顆粒及金屬離子去除，極大地提高了清洗良率。

本文源自：金融界

作者：情報員