英諾賽科：盈利能力顯著改善 技術創新引領行業發展新紀元

在全球半導體產業的快速發展中，英諾賽科（Innoscience）憑藉其在氮化鎵（GaN）功率半導體領域的卓越貢獻，正逐漸崛起爲行業內的佼佼者。

作爲第三代半導體材料的代表，氮化鎵因其出色的高頻、高效特性，在電力電子領域展現出巨大的應用潛力。英諾賽科通過持續的技術創新和市場拓展，不僅在產品性能上取得了重大突破，更在盈利能力上展現出強勁的成長趨勢。

營收強勁增長 虧損顯著收窄

自2015年成立以來，英諾賽科始終專注於氮化鎵技術的研發與應用，這一專注的戰略導向爲其帶來了顯著的業績增長。從2021年到2023年，公司營收實現了從6821.5萬元到5.9億元的飛躍，顯示了市場對其產品和服務的高度認可。

儘管2023年經調整後的淨虧損仍有10.16億元，但與2021年相比，虧損幅度明顯縮小。分析人士指出，這主要得益於公司成本控制能力的顯著提升以及規模化生產帶來的經濟效益。更重要的是，過去三年累計的虧損主要來源於上市前的股權融資和股權激勵支出，而非主營業務虧損，這進一步反映出英諾賽科對長期發展和人才激勵的重視。

技術創新彰顯長期價值 奠定行業領先地位

英諾賽科深知，持續的技術創新是保持企業競爭力的核心。因此，公司持續加大研發投入，不斷探索氮化鎵技術的新邊界。2021年至2023年，英諾賽科的研發投入分別達到了6.62億元、5.81億元和3.49億元，主要用於產品和技術的研發升級。

在中國蘇州，英諾賽科建立了全球研發中心，致力於第三代半導體材料及芯片的研發。截至目前，英諾賽科在全球範圍內已擁有約700項專利及專利申請，涵蓋了芯片設計、器件架構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等多個關鍵領域。這一系列的技術積累和創新成果，不僅爲英諾賽科在市場中贏得了廣泛的讚譽和認可，也爲公司的持續發展奠定了堅實的基礎。

市佔率持續領先 行業影響力穩步提升

得益於持續的技術創新和市場開拓，英諾賽科在氮化鎵功率半導體產品領域的市場份額持續擴大。2023年，英諾賽科在全球氮化鎵分立器件出貨量排名中穩居第一，市佔率高達42.4%，彰顯了英諾賽科在行業內的領導地位。

值得一提的是，公司不僅在國內市場佔據主導地位，還在全球範圍內與多家知名企業建立了深度合作關係，進一步鞏固了其市場影響力。英諾賽科的產品廣泛應用於消費電子、汽車、可再生能源等多個領域，其中，8英寸硅基氮化鎵晶圓相比於傳統的6英寸晶圓，晶粒產出提升80%，成本降低30%，體現了公司在成本控制與生產效率上的顯著優勢。

產能擴張與市場增長並進 盈利前景廣闊

面對新能源汽車、風電、光伏等下游市場的旺盛需求，英諾賽科提前佈局產能擴張，旨在抓住行業發展的黃金機遇。公司計劃在未來五年內，將8英寸氮化鎵晶圓的月產能從1萬片擴大至7萬片，以滿足不斷增長的市場需求。此外，英諾賽科還計劃將募集資金的15%用於研發和擴大氮化鎵產品組合，進一步鞏固其在市場中的競爭優勢。通過與消費電子、汽車、可再生能源等行業知名企業的深度合作，英諾賽科正在不斷拓展氮化鎵產品的應用邊界，其8英寸硅基氮化鎵晶圓的高產出和低成本優勢，爲公司未來的盈利增長提供了強有力的支撐。

業內人士指出，英諾賽科作爲全球領先的氮化鎵功率半導體企業，其技術創新能力和市場拓展策略爲其贏得了穩定的市場份額和行業影響力。隨着產能的進一步擴張和市場需求的持續增長，英諾賽科的盈利潛力將得到全面釋放，有望在未來實現更加穩健的財務表現和可持續的發展態勢。