中芯集成-U申請半導體器件及其製備方法專利，改善鏡面結構翹曲，以提高半導體器件的可靠性

金融界2024年7月5日消息，天眼查知識產權信息顯示，芯聯集成電路製造股份有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製備方法“，公開號CN202410441004.7，申請日期爲2024年4月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種半導體器件及其製備方法，包括：提供CAP晶圓，在CAP晶圓的表面形成第一凹槽；形成具有張應力的氮化層填充第一凹槽；提供MEMS晶圓，MEMS晶圓中具有暴露的第一梳齒結構；將MEMS晶圓具有第一梳齒結構的一側與CAP晶圓具有氮化層的一側鍵合；在CAP晶圓遠離氮化層的一側形成鏡面結構，且鏡面結構及氮化層相背設置於CAP晶圓的兩側，鏡面結構具有壓應力；以及，刻蝕CAP晶圓以形成第二梳齒結構，第二梳齒結構與第一梳齒結構沿MEMS晶圓的平面方向錯位設置。本發明能夠改善鏡面結構翹曲，以提高半導體器件的可靠性。

本文源自：金融界

作者：情報員