C2安培取得垂直金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)及其形成的方法專利
金融界2024年11月6日消息，國家知識產權局信息顯示，C2安培有限公司取得一項名爲“垂直金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)及其形成的方法”的專利，授權公告號CN 110574168 B，申請日期爲2018年5月。
本文源自：金融界
作者：情報員
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