南京第三代半導體技術創新中心取得高可靠性超級結MOSFET及其製造方法專利

金融界2024年11月25日消息，國家知識產權局信息顯示，南京第三代半導體技術創新中心有限公司取得一項名爲“高可靠性超級結MOSFET及其製造方法”的專利，授權公告號CN 118610264 B，申請日期爲2024年8月。

本文源自：金融界

作者：情報員