合肥領航微系統申請芯片用 SOI 襯底製備工藝專利，提高結構柔性增大振幅最大程度釋放器件性能

金融界 2024 年 12 月 12 日消息，國家知識產權局信息顯示，合肥領航微系統集成有限公司申請一項名爲“一種芯片用 SOI 襯底的製備工藝”的專利，公開號 CN 119108335 A，申請日期爲 2023 年 9 月。

專利摘要顯示，本發明涉及半導體工藝技術領域，尤其涉及一種芯片用 SOI 襯底的製備工藝，包括以下步驟：準備襯底，襯底包括由埋氧層連接的底硅和頂硅；刻蝕頂硅，使頂硅產生縫隙，縫隙使頂硅由內向外形成相互獨立的振動部和固定部；在縫隙中填充聚合物，聚合物用於連接振動部和固定部；刻蝕底硅和埋氧層，形成供振動部振動的空間。在芯片製備工藝中，在上電極、PZT、下電極完成圖形化以後，本發明在刻蝕頂硅過程中，將頂硅原本的連接區域都刻掉，然後生長聚合物並圖形化，來填充或製造連接結構，以提高結構柔性，增大振幅，最大程度的釋放器件性能。

本文源自：金融界

作者：情報員