三星電子將在2nm工藝應用後端供電技術

《科創板日報》23日訊，三星電子宣佈，在2納米半導體工藝中採用後端供電（BSPDN）技術，預計將使芯片面積減少約17%，同時性能提升8%，功耗降低15%。這是三星首次公開BSPDN技術的性能改進數據。